AS4C512M8D3LB-12BANTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS46DR16640B-3DBLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。IS43DR81280B-25DBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-60 封装。AS4C512M8D3LB-12BCNTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。MT51K256M32HF-60 N:B
Micron
DRAM GDDR5 8G 256MX32 FBGAEDBA232B2PB-1D-F-R
Micron · 封装：FBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-168 封装。EDF8164A3MA-GD-F-R
Micron · 封装：FBGA-253
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR3、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 128 M x 64、最小工作温度 - 30 C，采用 FBGA-253 封装。MT49H8M36SJ-25E:B
Micron · 封装：FBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 36 位，采用 FBGA-144 封装。IS43LD16128B-25BL-TR
ISSI · 封装：BGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-134 封装。IS43DR16640B-25DBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。MT40A4G4FSE-083E:A
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括商品名称 TwinDie，采用 FBGA-78 封装。IS43R16320D-6BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-60 封装。MT40A512M16LY-062E AIT:E
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16，采用 FBGA-96 封装。MT44K32M18RB-093E:B
Micron · 封装：BGA-168
采用 BGA-168 封装。MT40A2G8VA-062E:B
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 2 G x 8，采用 FBGA-78 封装。MT53D512M32D2DS-046 AIT:D
Micron
DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDPMT49H32M18CSJ-18:B
Micron
主要参数包括商品名称 RLDRAM。MT40A256M16LY-062E AUT:F
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 FBGA-96 封装。MT53E768M32D4DT-046 WT:E
Micron
主要参数包括存储容量 24 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 768 M x 32。MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D
Micron
DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA QDP型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。