GD5F1GQ5REYIHR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 M x 8，采用 WSON-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录GD5F1GQ5REYIHY
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 M x 8，采用 WSON-8 封装。GD5F1GQ5REYJGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 WSON-8 封装。GD5F1GQ5UEBIGY
GigaDevice · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。GD5F1GQ5UEBJGY
GigaDevice · 封装：TFBGA-24
采用 TFBGA-24 封装。GD5F1GQ5UEWIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 WSON-8 封装。GD5F1GQ5UEY2GR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 DTR/Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。GD5F1GQ5UEY2GY
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI，采用 WSON-8 封装。GD5F1GQ5UEYIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。GD5F1GQ5UEYIGY
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。GD5F1GQ5UEYIHR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。GD5F1GQ5UEYIHY
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 M x 8，采用 WSON-8 封装。GD5F1GQ5UEYJGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 WSON-8 封装。GD5F2GM7REB2GY
GigaDevice
NAND FlashGD5F2GM7REBIGY
GigaDevice · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 DTR/Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 TFBGA-24 封装。GD5F2GM7REBJGY
GigaDevice
NAND FlashGD5F2GM7REWIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
采用 WSON-8 封装。GD5F2GM7REWIGY
GigaDevice · 封装：WSON-8
采用 WSON-8 封装。GD5F2GM7UEB2GY
GigaDevice
NAND FlashGD5F2GM7UEBIGY
GigaDevice · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 DTR/Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 TFBGA-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。