GD5F1GM7UEYIGY
GigaDevice · 封装：WSON-8
采用 WSON-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录GD5F1GM7UEYJGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 DTR/Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。GD5F1GM9REBIGY
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NAND FlashGD5F1GM9REBJGY
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NAND FlashGD5F1GM9REWIGR
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NAND FlashGD5F1GM9REWJGR
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NAND FlashGD5F1GM9REYIGR
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NAND FlashGD5F1GM9REYJGR
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NAND FlashGD5F1GM9UEBIGY
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NAND FlashGD5F1GM9UEBJGY
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NAND FlashGD5F1GM9UEWIGR
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NAND FlashGD5F1GM9UEWJGR
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NAND FlashGD5F1GM9UEYIGR
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NAND FlashGD5F1GM9UEYJGR
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NAND FlashGD5F1GQ5REWIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 M x 8，采用 WSON-8 封装。GD5F1GQ5REWIGY
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 M x 8，采用 WSON-8 封装。GD5F1GQ5REY2GR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 DTR/Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。GD5F1GQ5REY2GY
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI，采用 WSON-8 封装。GD5F1GQ5REYIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。GD5F1GQ5REYIGY
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 M x 8，采用 WSON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。