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46,309 条型号记录
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AS9F14G08SA-45BIN

Alliance Memory · 封装：FBGA-63

主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 4 G x 8，采用 FBGA-63 封装。
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AS9F18G08SA-45BAN

Alliance Memory · 封装：FBGA-63

主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 8 G x 8，采用 FBGA-63 封装。
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AS9F18G08SA-45BIN

Alliance Memory · 封装：FBGA-63

主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 8 G x 8，采用 FBGA-63 封装。
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AS9F31G08SA-25BIN

Alliance Memory · 封装：FBGA-63

主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 FBGA-63 封装。
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AS9F32G08SA-25BIN

Alliance Memory · 封装：FBGA-63

主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 2 G x 8，采用 FBGA-63 封装。
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AS9F34G08SA-25BIN

Alliance Memory · 封装：FBGA-63

主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 4 G x 8，采用 FBGA-63 封装。
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AS9F38G08SA-25BIN

Alliance Memory · 封装：FBGA-63

主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 8 G x 8，采用 FBGA-63 封装。
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GD5F1GM7REYIGR

GigaDevice · 封装：WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 DTR/Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。
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GD5F1GM7UEWIGR

GigaDevice · 封装：WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 DTR/Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。
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GD5F1GM7UEYIGR

GigaDevice · 封装：WSON-8

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 DTR/Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。
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