IS38SMW04G8B-JHLA2
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 16，采用 TFBGA-24 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS38SMW04G8B-JHLA2-TR
ISSI · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 16，采用 TFBGA-24 封装。W25N02KVZEIRS
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 WSON-8 封装。W25N01GVSFITE
Winbond · 封装：SOIC-16
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、商品名称 SpiFlash、型号别名 W25N01GVSFIT，采用 SOIC-16 封装。W25N02KVSFIR
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous。W25N04KVZEIR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WSON-8 封装。W25N04LWZEIG
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 512 M x 8，采用 WSON-8 封装。W25N512GVEIGS
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous，采用 WSON-8 封装。IS34ML04G088-TLI
ISSI · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-I-48 封装。IS34ML04G088-TLI-TR
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IS34ML04G168-BLI
ISSI · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8/256 M x 16，采用 VFBGA-63 封装。IS34ML04G088-BLI-TR
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IS34ML04G088-BLI
ISSI · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 VFBGA-63 封装。AS5F18G04SND-10LIN
Alliance Memory · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.98 V、接口类型 Quad SPI、定时类型 Synchronous，采用 LGA-8 封装。AS5F31G04SND-08LIN
Alliance Memory · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Quad SPI、定时类型 Synchronous，采用 LGA-8 封装。AS5F32G04SNDA-08LIN
Alliance Memory · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Quad SPI、定时类型 Synchronous，采用 LGA-8 封装。AS5F32G04SNDB-08LIN
Alliance Memory · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Quad SPI、定时类型 Synchronous，采用 LGA-8 封装。AS5F34G04SNDA-08LIN
Alliance Memory · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Quad SPI、定时类型 Synchronous，采用 LGA-8 封装。AS5F34G04SNDB-08LIN
Alliance Memory · 封装：LGA-8
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Quad SPI、定时类型 Synchronous，采用 LGA-8 封装。AS9F14G08SA-45BAN
Alliance Memory · 封装：FBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 4 G x 8，采用 FBGA-63 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。