IS35ML04G088-BLA2-TR
ISSI · 封装:VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8,采用 VFBGA-63 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
ISSI · 封装:VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8,采用 VFBGA-63 封装。ISSI · 封装:VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 16,采用 VFBGA-63 封装。ISSI · 封装:VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 16,采用 VFBGA-63 封装。ISSI · 封装:SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous,采用 SOIC-16 封装。ISSI · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 16,采用 WSON-8 封装。ISSI · 封装:TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 M x 8,采用 TFBGA-24 封装。ISSI · 封装:TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 M x 8,采用 TFBGA-24 封装。ISSI · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 M x 8,采用 WSON-8 封装。ISSI · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 16,采用 WSON-8 封装。ISSI · 封装:TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 16,采用 TFBGA-24 封装。ISSI · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 16,采用 WSON-8 封装。ISSI · 封装:TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 M x 8,采用 TFBGA-24 封装。ISSI · 封装:TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 M x 8,采用 TFBGA-24 封装。ISSI · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 M x 8,采用 WSON-8 封装。ISSI · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 256 M x 8,采用 WSON-8 封装。ISSI · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 16,采用 WSON-8 封装。ISSI · 封装:TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 16,采用 TFBGA-24 封装。ISSI
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 16。ISSI · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 16,采用 WSON-8 封装。ISSI · 封装:WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 16,采用 WSON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。