TC58NVG0S3HBAI6
Kioxia America · 封装：VFBGA-67
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 VFBGA-67 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录TC58NVG0S3HTA00
Kioxia America · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 TSOP-48 封装。TC58NVG1S3HBAI4
Kioxia America · 封装：TFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TFBGA-63 封装。TC58NVG1S3HBAI6
Kioxia America · 封装：VFBGA-67
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 VFBGA-67 封装。TC58NVG1S3HTAI0
Kioxia America · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-48 封装。TC58NVG2S0HBAI6
Kioxia America · 封装：VFBGA-67
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 VFBGA-67 封装。TC58NVG2S0HTA00
Kioxia America · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-48 封装。TC58NYG0S3HBAI4
Kioxia America · 封装：TFBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Serial、定时类型 Synchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 TFBGA-63 封装。TC58NYG0S3HBAI6
Kioxia America · 封装：VFBGA-67
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-67 封装。TC58NYG1S3HBAI4
Kioxia America · 封装：TFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TFBGA-63 封装。TC58NYG1S3HBAI6
Kioxia America · 封装：VFBGA-67
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 VFBGA-67 封装。TC58NYG2S0HBAI4
Kioxia America · 封装：TFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TFBGA-63 封装。8611.200.262-01
SkyHigh Memory
主要参数包括湿敏性 是。IS34ML08G088-BLI
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IS34ML08G088-BLI-TR
ISSI
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 VFBGA-63。IS34ML08G088-TLI
ISSI
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。IS34ML08G088-TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 TSOP-I-48 封装。IS34ML08G168-BLI
ISSI · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8/512 M x 16，采用 VFBGA-63 封装。IS34ML08G168-BLI-TR
ISSI · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8/512 M x 16，采用 VFBGA-63 封装。IS35ML04G088-BLA2
ISSI · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 VFBGA-63 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。