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46,309 条型号记录
每页 20 条

MT29F2T08EMLCEJ4-R:C TR

Micron · 封装：VBGA-132

主要参数包括存储容量 2 TB、电源电压（最小值） 2.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 256 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 VBGA-132 封装。
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MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R

Micron · 封装：Die

主要参数包括存储容量 512 Gbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 64 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 Die 封装。
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GD9FU8G8E4DMGI

GigaDevice · 封装：TSOP-I-48

主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、最小工作温度 - 40 C，采用 TSOP-I-48 封装。
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GD9FU8G8E4DLGI

GigaDevice · 封装：FBGA-63

主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、最小工作温度 - 40 C，采用 FBGA-63 封装。
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GD9FU8G8E3AMGI

GigaDevice · 封装：TSOP-I-48

主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-I-48 封装。
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GD9FU4G8F3AMG2

GigaDevice · 封装：TSOP-I-48

主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 30 mA，采用 TSOP-I-48 封装。
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GD9FU8G8E3ALGI

GigaDevice · 封装：FBGA-63

主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-63 封装。
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GD9FU4G8F3AMGI

GigaDevice · 封装：TSOP-I-48

主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-I-48 封装。
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GD9FU8G8E2AMGI

GigaDevice · 封装：TSOP-I-48

主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-I-48 封装。
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GD9FU4G8F4DMGI

GigaDevice · 封装：TSOP-I-48

主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、最小工作温度 - 40 C，采用 TSOP-I-48 封装。
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GD9FU4G8F4DLGI

GigaDevice · 封装：FBGA-63

主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、最小工作温度 - 40 C，采用 FBGA-63 封装。
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