MT29F2G01ABBGDM79A3WC1L
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 G x 1、数据总线宽度 1 位，采用 Die 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT29F2G01ABAGDM79A3WC1L
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 G x 1、数据总线宽度 1 位，采用 Die 封装。MT29F2G08ABBGAM79A3WC1L
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 Die 封装。MT29F2G08ABAGAM79A3WC1L
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 Die 封装。MT29F4G08ABBFAM70A3WC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND、存储组织结构 512 M x 8，采用 Die 封装。MT29F64G08CBAAAL74A3WC1P-V
Micron
主要参数包括存储容量 64 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 8 G x 8、数据总线宽度 8 位。MT29F16G08ABECBM72A3WC1L
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储组织结构 2 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 Die 封装。MT29F32G08ABEABM73A3WC1L
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 32 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储组织结构 4 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 Die 封装。MT29F256G08CBCBBL06B3WC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 256 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储组织结构 32 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 Die 封装。MT29F1G16ABBFAH4-IT:F
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 64 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-63 封装。MT29F2T08EMLCEJ4-R:C
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 2 TB、电源电压（最小值） 2.6 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 256 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 VBGA-132 封装。MT29F1G16ABBFAH4-IT:F TR
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 64 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-63 封装。MT29F2G08ABAGAH4-AIT:G
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。MT29F4G16ABBFAH4-AAT:F
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-63 封装。MT29F2G08ABAGAH4-AIT:G TR
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F TR
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。MT29F4G16ABBFAH4-AAT:F TR
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-63 封装。MT29F512G08EBHBFJ4-T:B
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 512 Gbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 64 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 VBGA-132 封装。MT29F512G08EBHBFJ4-T:B TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 512 Gbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 64 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 VBGA-132 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。