MT53D512M32D2DS-053 AUT:D
Micron
主要参数包括存储容量 16 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT40A512M16TB-062E IT:J
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16，采用 FBGA-96 封装。MT40A512M16LY-062E AUT:E
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16，采用 FBGA-96 封装。IS42S86400D-7TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。MT44K16M36RB-093E IT:B
Micron · 封装：BGA-168
采用 BGA-168 封装。MT53D1024M32D4DT-053 WT:D TR
Micron · 封装：VFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1 G x 32，采用 VFBGA-200 封装。MT44K64M18RB-093E:A
Micron · 封装：BGA-168
采用 BGA-168 封装。MT53D512M64D4RQ-053 WT:E
Micron
DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA QDPMT44K16M36RB-107E:B
Micron · 封装：BGA-168
采用 BGA-168 封装。MT49H16M18CSJ-25 IT:B
Micron
主要参数包括商品名称 RLDRAM。IS43TR16512BL-125KBLI-TR
ISSI · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT53E1G32D4NQ-053 WT:E
Micron
主要参数包括存储容量 32 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1 G x 32。MT40A256M16LY-062E AAT:F
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 FBGA-96 封装。MT52L512M64D4GN-107 WT:B
Micron
DRAM LPDDR3 32Gbit 64 256/1156MT40A256M16LY-062E IT:F TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 FBGA-96 封装。AS4C1G8D3LA-10BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。AS4C512M16D3LA-10BCNTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT53E1G64D8NW-046 WT:E
Micron
主要参数包括存储容量 64 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 1 G x 64。IS46DR16640B-3DBLA2-TR
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。MT44K32M18RB-107E IT:B
Micron · 封装：BGA-168
采用 BGA-168 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。