TH58NVG4S0FBAID
Toshiba Memory · 封装：FBGA-63
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 FBGA-63 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录TC58NVG2S0FTA00
Toshiba Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。MT29F4G08ABAFAWP-ITES:F
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-48 封装。TC58NYG0S3EBAI4
Toshiba Memory · 封装：TFBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TFBGA-63 封装。TH58NVG4S0FTAK0
Toshiba Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 2 G x 8，采用 TSOP-48 封装。TC58NVG3S0FTA00
Toshiba Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。TC58NVG3S0FTAI0
Toshiba Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。TC58NVG2S3ETA00
Toshiba Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。TC58NVG1S3ETA00
Toshiba Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。TH58NVG4S0FTA20
Toshiba Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。TC58NVG2S3EBAI5
Toshiba Memory · 封装：TFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TFBGA-63 封装。TC58NYG1S3EBAI5
Toshiba Memory · 封装：TFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TFBGA-63 封装。MT29F8G08ABACAM71M3WC1
Micron
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash。MT29F4G01ABBFDM70A3WC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 4 G x 1、数据总线宽度 1 位，采用 Die 封装。MT29F8G08ABACAM71M3WC1L
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 Die 封装。MT29F128G08CBCEBL05B3WC1-M
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 128 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储组织结构 16 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 Die 封装。MT29F4G01ABAFDM70A3WC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 4 G x 1、数据总线宽度 1 位，采用 Die 封装。MT29F1G08ABBEAM68M3WC1L
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 Die 封装。MT29F1G08ABAEAM68M3WC1L
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 Die 封装。MT29F1G08ABAFAM78A3WC1L
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 Die 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。