MT29F2T08ELHBFG7-R:B
Micron
主要参数包括存储容量 2 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 256 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT29F2T08EMHBFJ4-T:B TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 2 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 256 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 VBGA-132 封装。MT29F1T08EEHBFJ4-M:B TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 1 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 128 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 VBGA-132 封装。MT29F2T08EMHAFJ4-3R:A TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 2 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VBGA-132 封装。MT29F1T08EEHBFJ4-T:B TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 1 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 128 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 VBGA-132 封装。MT29F2T08EMHBFJ4-R:B TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 2 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VBGA-132 封装。MT29F1T08EEHBFJ4-T:B
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 1 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 128 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 VBGA-132 封装。MT29F1T08EEHBFJ4-R:B TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 1 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 128 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 VBGA-132 封装。MT29F128G08CBCABL85A3WC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 128 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。MT29F64G08CBEBBL84A3WC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 64 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。MT29F4G01ABBFD12-AATES:F
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-M
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 64 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。MT29F32G08CBADAL83A3WC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 32 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。MT29F128G08EBCDBB05A3WC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 128 Gbit、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 16 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 Die 封装。MT29F32G08CBACAL73A3WC1P
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 32 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。MT29F16G08ABACAM72A3WC1P
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。MT29F32G08CBEDBL83A3WC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 32 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND、类型 No Boot Block，采用 Die 封装。MT29F8G01ADBFD12-AATES:F
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F
Micron
主要参数包括存储容量 4 Gbit、存储组织结构 512 M x 8、数据总线宽度 8 位。MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-R
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 256 Gbit、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 32 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 Die 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。