MT29F64G08CBABAL84A3WC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 64 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT29F4G08ABAFAM70A3WC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 16，采用 VFBGA-63 封装。TC58NVG1S3ETAI0
Toshiba Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。TC58NVG2S3ETAI0
Toshiba Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。TC58NVG0S3ETAI0
Toshiba Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。MT29F2T08EMHBFJ4-M:B TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 2 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 256 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 VBGA-132 封装。MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 128 Gbit、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 16 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 Die 封装。TC58NVG0S3ETA00
Toshiba Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。MT29F4T08EQHBFG8-R:B TR
Micron
主要参数包括存储容量 4 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 512 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C。MT29F8T08EWHAFJ6-3R:A TR
Micron · 封装：LBGA-132
主要参数包括存储容量 8 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 1 T x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 LBGA-132 封装。MT29F8T08ESHBFG4-R:B TR
Micron
主要参数包括存储容量 8 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 1 T x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C。MT29F4T08EUHBFM4-T:B TR
Micron
主要参数包括存储容量 4 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 512 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C。MT29F4T08EUHAFM4-3R:A TR
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 Die 封装。MT29F4T08EQHBFG8-R:B
Micron
主要参数包括存储容量 4 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 512 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C。MT29F2T08EMHBFJ4-M:B
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 2 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 256 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 VBGA-132 封装。MT29F8T08EWHBFM5-R:B TR
Micron
主要参数包括存储容量 8 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 1 T x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C。MT29F4T08EUHBFM4-R:B TR
Micron
主要参数包括存储容量 4 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 512 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C。MT29F8T08ESHBFG4-R:B
Micron
主要参数包括存储容量 8 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 1 T x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C。MT29F2T08ELHBFG7-R:B TR
Micron
主要参数包括存储容量 2 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 256 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。