MT29F2G08ABAGAWP-AITES:G TR
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-48 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT29F2G08ABAGAWP-AITES:G
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-48 封装。TC58NVG3S0FBAID
Toshiba Memory · 封装：TFBGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TFBGA-63 封装。W29N02KVSIAA
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 256 M x 8、数据总线宽度 8 位。MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 TR
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-R
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 256 Gbit、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 32 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 Die 封装。MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-FES
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 512 Gbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 64 G x 8，采用 Die 封装。MT29F128G08CBCEBL05B3WC1ES
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 128 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。MT29F2G16ABBGAH4-AITES:G
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-63 封装。MT29F1G08ABAFAH4-AATES:F
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。MT29F4G08ABBEAM70M3WC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。MT29F2G01ABBGDM79A3WC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。MT29F1G08ABAEAM68M3WC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。MT29F1G08ABAFAM78A3WC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。MT29F2T08EMHAFJ4-3ITFES:A
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 2 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 G x 8，采用 VBGA-132 封装。MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 256 Gbit、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 32 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 VBGA-132 封装。MT29F8G01ADBFD12-AATES:F TR
Micron · 封装：TBGA-24
主要参数包括存储容量 8 Gbit、存储器类型 NAND、存储组织结构 8 G x 1、数据总线宽度 1 位、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C，采用 TBGA-24 封装。MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 VFBGA-63 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。