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Toshiba Memory · 封装：FBGA-153
主要参数包括存储容量 128 GB、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、产品 NAND Flash，采用 FBGA-153 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT29F256G08EBHBFJ4-3ITFES:B
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 256 Gbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储组织结构 32 G x 8，采用 VBGA-132 封装。MT29F2G16ABBGAH4-AATES:G TR
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-63 封装。MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR
Micron
主要参数包括存储容量 4 Gbit、存储组织结构 512 M x 8、数据总线宽度 8 位。MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR
Micron
主要参数包括存储容量 4 Gbit、存储组织结构 512 M x 8、数据总线宽度 8 位。MT29F4G01ABBFD12-ITES:F TR
Micron · 封装：TBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储器类型 NAND，采用 TBGA-24 封装。MT29F2G08ABAGAH4-AITES:G TR
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F
Micron
主要参数包括存储容量 4 Gbit、存储组织结构 512 M x 8、数据总线宽度 8 位。MT29F4G08ABAFAWP-AITES:F TR
Micron
主要参数包括存储容量 4 Gbit、存储组织结构 512 M x 8、数据总线宽度 8 位。MT29F4G08ABBFAH4-AITES:F TR
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 VFBGA-63 封装。MT29F4G08ABAFAWP-AITES:F
Micron
主要参数包括存储容量 4 Gbit、存储组织结构 512 M x 8、数据总线宽度 8 位。MT29F2G01ABBGD12-AATES:G
Micron
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 G x 1、数据总线宽度 1 位。W29N02KVSIAA TR
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 256 M x 8、数据总线宽度 8 位。MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F2G08ABAGAH4-AITES:G
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。MT29F4G01ABAFD12-ITES:F
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F TR
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。MT29F4G08ABAFAWP-ITES:F TR
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。MT29F4G08ABBDAM60A3WC1
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。