W25N512GWPIR TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 WSON-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W25N512GWPIG TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 8，采用 WSON-8 封装。W25N512GWPIT TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 8，采用 WSON-8 封装。W25N02JWTBIF TR
Winbond
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C。W25N02JWTBIC TR
Winbond
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C。W29N01HVDINA TR
Winbond · 封装：VFBGA-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-48 封装。W29N01HZDINA TR
Winbond · 封装：VFBGA-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-48 封装。W29N01HZDINF TR
Winbond · 封装：VFBGA-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-48 封装。W29N01HWDINF TR
Winbond · 封装：VFBGA-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 64 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-48 封装。W29N01HVDINF TR
Winbond · 封装：VFBGA-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-48 封装。W25N01GVZEIT TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8，采用 WSON-8 封装。W25N01GVZEIR TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8，采用 WSON-8 封装。W29N02KVBIAF TR
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Serial、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 - 40 C，采用 VFBGA-63 封装。W25N512GVPIG TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 WSON-8 封装。W25N512GWEIG TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 8，采用 WSON-8 封装。W25N512GWEIT TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 8，采用 WSON-8 封装。W25N512GWEIR TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 WSON-8 封装。W25N512GVPIR TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 WSON-8 封装。W25N512GVPIT TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 WSON-8 封装。W25N512GVEIG TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 8，采用 WSON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。