MT49H8M36SJ-25 IT:B
Micron · 封装：FBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 36 位，采用 FBGA-144 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT40A512M16LY-062E:E TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C512M16D3L-12BCNTR
Alliance Memory · 封装：TFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-96 封装。IS43LR32640A-5BL-TR
ISSI · 封装：WBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 32 位，采用 WBGA-90 封装。MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32，采用 WFBGA-200 封装。IS42S32800G-7BL-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-90 封装。IS46TR16128BL-125KBLA2-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。MT44K64M18RB-083F:A
Micron · 封装：BGA-168
采用 BGA-168 封装。MT40A1G16KNR-062E:E
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 1 G x 16，采用 FBGA-96 封装。EDB2432B4MA-1DAUT-F-D
Micron · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-134 封装。IS43TR16512B-125KBLI-TR
ISSI · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT44K32M36RB-083F:A
Micron · 封装：BGA-168
采用 BGA-168 封装。IS42S86400D-7TL-TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。IS43DR16640B-3DBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。IS43DR16320C-25DBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32，采用 WFBGA-200 封装。MT61M256M32JE-10 N:A
Micron · 封装：FBGA-180
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.2875 V、电源电压（最小值） 1.2125 V、类型 SDRAM - GDDR6、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32，采用 FBGA-180 封装。MT53D512M32D2DS-053 AAT:D
Micron
DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDPMT44K64M18RB-107E:A
Micron · 封装：BGA-168
采用 BGA-168 封装。MT61M256M32JE-12 N:A
Micron · 封装：FBGA-180
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.2875 V、电源电压（最小值） 1.2125 V、类型 SDRAM - GDDR6、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32，采用 FBGA-180 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。