IS43TR16256BL-125KBLI
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 BGA-96 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS43TR82560B-125KBLI
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-78 封装。MT41K512M16HA-107 IT:A
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C512M16D3LB-12BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16，采用 FBGA-96 封装。AS4C1G8D3LA-10BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。AS4C64M16D1A-6BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-60 封装。MT41K512M16HA-107
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IS46TR16256BL-125KBLA2
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。AS4C128M16D2A-25BAN
Alliance Memory · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。IS43TR16256BL-107MBLI
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 BGA-96 封装。EDB5432BEBH-1DAAT-F-R
Micron · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-134 封装。AS4C8M32SA-6BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-90 封装。AS4C32M8SA-6TIN
Alliance Memory · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-54 封装。IS42VM16400M-75BLI
ISSI
主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是。IS42VM32400H-75BLI
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是，采用 BGA-90 封装。IS43DR16128C-25DBL
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-84 封装。IS42SM16800H-75BLI
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是、单件重量 0.003517 oz，采用 BGA-54 封装。IS43TR16128C-125KBLI
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS42S16100H-6TL
ISSI · 封装：TSOP-50
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-50 封装。IS43DR16640C-25DBLI
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括类型 SDRAM - DDR2、湿敏性 是，采用 BGA-84 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。