W29N04GWBIBF TR
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-63 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W29N04GVBIAA TR
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。W29N04GZBIBF TR
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。W25N02JWZEIF TR
Winbond
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.8 V、接口类型 Serial、商品名称 SpiStack。W29N04GVBIAF TR
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。MT29F64G08CBCGBJ4-37R:G
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F128G08CBCEBRT-37B:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 128 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND。MT29F64G08CBCGBJ4-37R:G TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 64 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND，采用 VBGA-132 封装。MT29F64G08CBCGBSX-37B:G
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。W29N02KVDIAF
Winbond · 封装：VFBGA-48
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Serial、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 - 40 C，采用 VFBGA-48 封装。W29N02KVDIAF TR
Winbond · 封装：VFBGA-48
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Serial、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 - 40 C，采用 VFBGA-48 封装。MT29F1G01ABBFD12-AAT:F TR
Micron
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 G x 1、数据总线宽度 1 位。W29N02GWBIBA TR
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-63 封装。W29N02GVBIAF TR
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。W29N04GVSIAA TR
Winbond · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-48 封装。W29N02GZBIBA TR
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。W25N02JWZEIC TR
Winbond
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.8 V、接口类型 Serial、商品名称 SpiStack。W29N04GVSIAF TR
Winbond · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-48 封装。W25N01JWZEIG TR
Winbond
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.8 V、接口类型 Serial、商品名称 SpiStack。W25N01GWZEIT TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8，采用 WSON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。