IS37SML01G1-MLI-TR
ISSI · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Serial, SPI、存储器类型 NAND，采用 SOIC-16 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S34ML16G202BHI003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。IS34ML04G081-TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-48 封装。S99ML08G10040
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34MS04G100BHB003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34ML02G200GHI003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash。S34MS04G200BHA003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34ML08G101TFA003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。8 611 200 982
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34SL02G200BHV003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。8 611 200 981
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34MS04G100TFB003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。A2C02560700 A
SkyHigh Memory
主要参数包括湿敏性 是。S34SL01G200BHV003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。W29N08GWSIBF TR
Winbond · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 GBit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、数据总线宽度 16 位、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSOP-48 封装。MT29F64G08CBCGBSX-37B:G TR
Micron
主要参数包括存储容量 64 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND。W29N08GZSIBA TR
Winbond · 封装：TSOP-48
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 1 G x 8，采用 TSOP-48 封装。W29N08GWSIBA TR
Winbond · 封装：TSOP-48
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 M x 16，采用 TSOP-48 封装。W29N08GZSIBF TR
Winbond · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 GBit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Serial、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 - 40 C，采用 TSOP-48 封装。W29N08GVSIAF TR
Winbond · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 1024 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-48 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。