MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 VFBGA-63 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F1T08EEHBFJ4-M:B
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 1 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 128 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 VBGA-132 封装。MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 512 Gbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 64 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 VBGA-132 封装。MT29F8T08EWHAFJ6-3T:A
Micron · 封装：LBGA-132
主要参数包括存储容量 8 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 1 T x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 LBGA-132 封装。MT29F4T08EUHAFM4-3T:A
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。IS34ML02G084-BLI-TR
ISSI · 封装：VFBGA-63
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND，采用 VFBGA-63 封装。IS34MW02G084-BLI-TR
ISSI · 封装：VFBGA-63
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、数据总线宽度 16 位、电源电流（最大值） 30 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 VFBGA-63 封装。IS34MW01G164-BLI-TR
ISSI · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 64 M x 16，采用 VFBGA-63 封装。IS34ML01G081-BLI-TR
ISSI · 封装：VFBGA-63
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND，采用 VFBGA-63 封装。IS34ML02G081-BLI-TR
ISSI · 封装：VFBGA-63
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND，采用 VFBGA-63 封装。IS34MW04G084-TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-48 封装。IS34MW02G084-BLI
ISSI · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。IS34ML01G084-BLI-TR
ISSI · 封装：VFBGA-63
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND，采用 VFBGA-63 封装。IS37SML01G1-LLI-TR
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Serial, SPI、存储器类型 NAND，采用 WSON-8 封装。IS34MW02G084-TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-48 封装。IS34ML02G084-BLI
ISSI · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。IS34ML04G084-TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-48 封装。IS34ML02G081-BLI
ISSI · 封装：VFBGA-63
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 M x 8，采用 VFBGA-63 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。