W29N08GZBIBF TR
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 8 GBit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Serial、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 - 40 C，采用 VFBGA-63 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录W29N08GVBIAA TR
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 1 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。W29N08GWBIBA TR
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 M x 16，采用 VFBGA-63 封装。W29N08GZBIBA TR
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 1 G x 8，采用 VFBGA-63 封装。MT29F512G08EBHAFJ4-3R:A TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 512 Gbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 64 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VBGA-132 封装。MT29F4G16ABAFAH4-AIT:F TR
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 16，采用 VFBGA-63 封装。MT29F8T08EWHBFM5-T:B TR
Micron
主要参数包括存储容量 8 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 1 T x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C。MT29F8T08EWHBFM5-T:B
Micron
主要参数包括存储容量 8 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 1 T x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C。MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 1 Tbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 128 G x 8，采用 VBGA-132 封装。MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 1 Tbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 128 G x 8，采用 VBGA-132 封装。MT29F1T08EEHBFJ4-R:B
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 1 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 128 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 VBGA-132 封装。MT29F1T08EEHAFJ4-3R:A TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 1 TB、电源电压（最大值） 3.3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 VBGA-132 封装。MT29F256G08EBCAGJ4-5M:A TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 256 Gbit、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 32 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 VBGA-132 封装。MT29F64G08CBCGBWP-B:G
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 256 Gbit、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 32 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 VBGA-132 封装。MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F8T08EWHBFM5-R:B
Micron
主要参数包括存储容量 8 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 1 T x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C。MT29F8T08EWHAFJ6-3R:A
Micron · 封装：LBGA-132
主要参数包括存储容量 8 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 1 T x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 LBGA-132 封装。MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 512 Gbit、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 64 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 VBGA-132 封装。MT29F512G08EECAGJ4-5M:A
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。