MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A TR
Micron · 封装：TBGA-100
主要参数包括存储容量 128 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TBGA-100 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。W29N08GVSIAF
Winbond · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 1024 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-48 封装。MT29F512G08EBHAFJ4-3R:A
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 512 Gbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 64 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VBGA-132 封装。MT29F2G01ABAGD12-AAT:G
Micron · 封装：TBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 G x 1，采用 TBGA-24 封装。MT29F4G08ABAFAWP-IT:F TR
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-48 封装。S34ML02G100TFV003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34MS02G200TFI003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash。S34MS08G201BHV000
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 BGA-63 封装。S34ML04G100BHA000
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 BGA-63 封装。MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 1.5 Tbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 192 G x 8，采用 VBGA-132 封装。MT29F8G08ABACAWP-AIT:C TR
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 TSOP-48 封装。W25N01JWZEIT TR
Winbond
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.8 V、接口类型 Serial、商品名称 SpiStack。MT29F128G08CBCEBJ4-37ITR:E TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 128 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储组织结构 16 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VBGA-132 封装。IS34MW01G084-BLI-TR
ISSI · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 64 M x 16，采用 VFBGA-63 封装。MT29F256G08EBCAGJ4-5M:A
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 512 Gbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 64 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 VBGA-132 封装。MT29F512G08EBHBFJ4-R:B TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 512 Gbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 64 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VBGA-132 封装。MT29F64G08CBCGBWP-B:G TR
Micron
主要参数包括存储容量 64 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND。S34MS04G100TFI003
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。