MT29F128G08CBCEBRT-37B:E
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT29F256G08CBCBBJ4-37:B TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 256 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 32 G x 8，采用 VBGA-132 封装。W29N04GZBIBA TR
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-48 封装。W25N01GVSFIG TR
Winbond · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8，采用 SOIC-16 封装。MT29F4G08ABAFAWP-AIT:F
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-48 封装。W25N01GWTCIT
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。S34MS04G200BHI003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。W29N08GWSIBA
Winbond · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-48 封装。S34ML04G200TFA003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A TR
Micron · 封装：VBGA-100
主要参数包括存储容量 32 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND，采用 VBGA-100 封装。MT29F8G01ADBFD12-AAT:F
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 8 G x 1、数据总线宽度 1 位，采用 Die 封装。MT29F4G01ABAFD12-AAT:F
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 4 G x 1、数据总线宽度 1 位，采用 Die 封装。W25N01GWTBIT
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。MT29F4G01ABBFD12-AAT:F
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 4 G x 1、数据总线宽度 1 位，采用 Die 封装。W29N08GZBIBA
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 1 G x 8，采用 VFBGA-63 封装。W25N01GVTBIT
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。W29N08GZSIBA
Winbond · 封装：TSOP-48
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 1 G x 8，采用 TSOP-48 封装。W25N01GVTCIT
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。S34MS04G200TFI003
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。