W29N01HVBINA TR
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W29N08GWBIBF
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 8 GBit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、数据总线宽度 16 位、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 VFBGA-63 封装。W25N512GWBIR
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TFBGA-24 封装。S34ML08G101BHB003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。W25N01GWTCIG
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。S34MS08G201BHA003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34SL04G200BHV003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34ML02G200BHB003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34ML04G200TFB003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34ML08G101TFB003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34ML01G200BHA003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34MS01G200TFB003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34ML01G200TFA003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。1107-002323
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F512G08CECBBJ4-37:B
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F1T208ECCBBJ4-37:B TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 1.125 Tbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 144 G x 8，采用 VBGA-132 封装。S34ML04G100BHV000
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 BGA-63 封装。MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A TR
Micron · 封装：LBGA-100
主要参数包括存储容量 256 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND、类型 No Boot Block，采用 LBGA-100 封装。MT29F384G08EBCBBJ4-37:B
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。