AS4C16M16D1A-5TAN
Alliance Memory
主要参数包括湿敏性 是。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS43R16320F-5TL
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 TSOP-66 封装。IS43TR81280BL-125KBL
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。IS43TR81280B-125KBL
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。IS43LR32100D-6BLI
ISSI
主要参数包括类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、湿敏性 是。AS4C64M4SA-7TIN
Alliance Memory
主要参数包括湿敏性 是。MT52L8DBQC-DC
Micron
主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR3。IS43LR16200D-6BL
ISSI
主要参数包括类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、湿敏性 是。MT53D4D1ABP-DC
Micron
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 128 M x 64。ECB440ABBCN-Y3
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32，采用 Die 封装。MT53D1DADS-DC
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。W979H2KBVX1I
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-134 封装。W979H6KBVX1E
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-134 封装。W979H2KBVX1E
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-134 封装。W978H6KBVX1I
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-134 封装。IS43R83200F-6TL
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 TSOP-66 封装。W632GG6MB-09
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W632GU6MB11I
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。MT41K512M16VRN-107 AIT:P
Micron
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16。MT44K16M36RB-093E:B
Micron · 封装：BGA-168
采用 BGA-168 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。