W29N02KVSIAF TR
Winbond
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储组织结构 256 M x 8、数据总线宽度 8 位。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W25N512GVBIG TR
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。W25N512GVBIR TR
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TFBGA-24 封装。W25N512GVBIT TR
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。W25N02JWSFIC TR
Winbond
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.8 V、接口类型 Serial、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、商品名称 SpiStack。W25N02JWSFIF TR
Winbond
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.8 V、接口类型 Serial、商品名称 SpiStack。W25N512GWYIR TR
Winbond · 封装：WLCSP-48
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 WLCSP-48 封装。W25N512GWYIG TR
Winbond · 封装：WLCSP-48
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 WLCSP-48 封装。W25N512GWYIT TR
Winbond · 封装：WLCSP-48
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 WLCSP-48 封装。W29N01HZSINA TR
Winbond · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-48 封装。W29N01HZSINF TR
Winbond · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-48 封装。W29N01HWSINF TR
Winbond · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 64 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-48 封装。W29N01HVSINA TR
Winbond · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-48 封装。W25N01JWSFIG TR
Winbond
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.8 V、接口类型 Serial、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、商品名称 SpiStack。MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 64 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND，采用 VBGA-132 封装。W25N02JWTBIC
Winbond
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C。W25N01JWSFIT TR
Winbond
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.8 V、接口类型 Serial、商品名称 SpiStack。W25N512GWFIT TR
Winbond · 封装：SOIC-16
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-16 封装。W25N01GVSFIT TR
Winbond · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8，采用 SOIC-16 封装。W25N512GWFIG TR
Winbond · 封装：SOIC-16
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。