S34SL04G200BHI000
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 BGA-63 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S34ML08G201TFA000
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。MT29F384G08EBCBBJ4-37:B TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 384 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 48 G x 8，采用 VBGA-132 封装。MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:A TR
Micron · 封装：TBGA-100
主要参数包括存储容量 128 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TBGA-100 封装。MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 32 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND，采用 VBGA-132 封装。MT29F1T208ECCBBJ4-37:B
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。S34MS01G200TFI003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34MS01G204TFI013
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34MS01G200BHB003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。40060513
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34SL02G200BHV000
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D TR
Micron · 封装：TBGA-132
主要参数包括存储容量 128 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TBGA-132 封装。MT29F256G08CECEBJ4-37ITR:E TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 256 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储组织结构 32 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VBGA-132 封装。MT29F1T08CMCBBJ4-37:B TR
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 1 Tbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、存储器类型 NAND、存储组织结构 128 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VBGA-132 封装。MT29F1T08CMCBBJ4-37:B
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F16G16ADBCAH4:C TR
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 VFBGA-63 封装。W25N512GVCIT TR
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。W25N512GWBIR TR
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TFBGA-24 封装。W25N512GWBIT TR
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。W25N512GWBIG TR
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。