S34ML04G100BHV003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
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主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。Micron · 封装:Die
主要参数包括存储容量 256 Gbit、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 32 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C,采用 Die 封装。SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。SkyHigh Memory · 封装:BGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND,采用 BGA-63 封装。SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash。SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。SkyHigh Memory · 封装:BGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND,采用 BGA-63 封装。SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。SkyHigh Memory · 封装:BGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND,采用 BGA-63 封装。SkyHigh Memory · 封装:BGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND,采用 BGA-63 封装。SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。SkyHigh Memory · 封装:BGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND,采用 BGA-63 封装。SkyHigh Memory · 封装:BGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND,采用 BGA-63 封装。SkyHigh Memory · 封装:BGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND,采用 BGA-63 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。