S34MS08G201BHB003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S34ML08G201BHA003
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主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34MS04G200BHB003
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主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34SL04G200BHI003
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主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34MS02G104BHB013
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主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34ML08G201TFA003
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主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34MS02G100BHB003
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主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34MS01G104BHB013
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主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34ML02G200BHV003
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主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F4G01ABAFD12-IT:F
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 4 G x 1、数据总线宽度 1 位，采用 Die 封装。W29N01HVSINF TR
Winbond · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-48 封装。W29N08GZBIBF
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 8 GBit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Serial、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 - 40 C，采用 VFBGA-63 封装。W29N08GWBIBA
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括最大时钟频率 40 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 M x 16，采用 VFBGA-63 封装。W25N01JWTBIG
Winbond
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C。TH58BVG2S3HBAI6
Toshiba Memory · 封装：VFBGA-67
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 512 M x 8，采用 VFBGA-67 封装。W25N01GVTCIR
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。W25N02JWTBIF
Winbond
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C。W25N512GWBIT
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。TH58NVG2S3HBAI6
Toshiba Memory · 封装：VFBGA-67
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 512 M x 8，采用 VFBGA-67 封装。S34ML08G201BHB003
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主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。