S34MS01G200TFA003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S99ML04G10041
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。A2C01419000 A
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash。W25N01GVTBIG TR
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。W25N512GVFIT TR
Winbond · 封装：SOIC-16
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-16 封装。W25N512GVFIG TR
Winbond · 封装：SOIC-16
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-16 封装。W29N04GWBIBF
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-63 封装。W25N01JWTBIT
Winbond
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C。W25N512GWCIT
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。W25N512GWCIG
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。W29N08GWSIBF
Winbond · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 GBit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、数据总线宽度 16 位、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSOP-48 封装。W25N01GVTBIR
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。W25N512GVCIG
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。W25N512GVCIT
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。W29N08GZSIBF
Winbond · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 GBit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Serial、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 - 40 C，采用 TSOP-48 封装。W25N512GWBIG
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。TH58NYG2S3HBAI6
Toshiba Memory · 封装：VFBGA-67
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 512 M x 8，采用 VFBGA-67 封装。MT29F256G08EBHAFB16A3WTA
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 256 Gbit、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 32 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 Die 封装。MT29F256G08EBHAFB16A3WSA
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 256 Gbit、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 32 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 Die 封装。S34ML08G101BHA003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。