MT29F64G08CBAAAWP-Z:A
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT29F8G08ABABAWP-AITX:B
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1024 M x 8，采用 TSOP-48 封装。MT29F8G16ADADAH4-IT:D
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F4G08ABAEAWP:E
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-48 封装。MT29F1G16ABBDAH4-ITX:D
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F1G08ABADAWP-ITX:D
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 VFBGA-63 封装。MT29F8G16ABACAWP-IT:C
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 16，采用 TSOP-48 封装。MT29F8G08ABABAWP-AATX:B
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1024 M x 8，采用 TSOP-48 封装。MT29F4G08ABADAH4:D
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F4G08ABBDAH4:D
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F4G16ABADAWP-AIT:D
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F4G08ABAEAWP-IT:E
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-48 封装。MT29F4G08ABBDAHC-IT:D
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F2G08ABAEAH4:E
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F8G08ABABAWP-ITX:B
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F8G08ADADAH4-IT:D
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F4G08ABBDAH4-IT:D
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F8G08ABACAH4-IT:C
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1024 M x 8，采用 VFBGA-63 封装。MT29F4G01ADAGDWB-IT:G
Micron · 封装：U-PDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 4 G x 1，采用 U-PDFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。