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存储器

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型号列表

46,309 条型号记录
每页 20 条

S34ML02G104TFA010

Cypress Semiconductor · 封装:TSOP-48

主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND,采用 TSOP-48 封装。

S34MS04G204BHI010

Cypress Semiconductor · 封装:BGA-63

主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND,采用 BGA-63 封装。

S34ML04G104BHI010

SkyHigh Memory · 封装:BGA-63

主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND,采用 BGA-63 封装。

MT29F4G08ABADAH4-AATX:D TR

Micron · 封装:VFBGA-63

主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND,采用 VFBGA-63 封装。

MT29F4G08ABBEAH4-IT:E TR

Micron · 封装:VFBGA-63

主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND,采用 VFBGA-63 封装。

MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D TR

Micron · 封装:VFBGA-63

主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND,采用 VFBGA-63 封装。

MT29F4G16ABBDAH4-IT:D TR

Micron · 封装:VFBGA-63

主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND,采用 VFBGA-63 封装。

MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D

Micron

主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。

MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E

Micron · 封装:VFBGA-63

主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8,采用 VFBGA-63 封装。

MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E

Micron

主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。

MT29F4G08ABAEAH4:E

Micron · 封装:VFBGA-63

主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8,采用 VFBGA-63 封装。

MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E

Micron

主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。

MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E

Micron

主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。

MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E

Micron

主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。

MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E

Micron

主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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