S34ML02G104TFA010
Cypress Semiconductor · 封装:TSOP-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND,采用 TSOP-48 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Cypress Semiconductor · 封装:TSOP-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND,采用 TSOP-48 封装。Cypress Semiconductor · 封装:BGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND,采用 BGA-63 封装。SkyHigh Memory · 封装:BGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND,采用 BGA-63 封装。Micron · 封装:VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND,采用 VFBGA-63 封装。Micron · 封装:VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND,采用 VFBGA-63 封装。Micron · 封装:VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND,采用 VFBGA-63 封装。Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。Micron · 封装:VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND,采用 VFBGA-63 封装。Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。Micron · 封装:VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8,采用 VFBGA-63 封装。Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。Micron · 封装:VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8,采用 VFBGA-63 封装。Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。