W29N04GZBIBF
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S34ML08G101BHA000
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 BGA-63 封装。MT29F4G01ABBFD12-IT:F
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 4 G x 1、数据总线宽度 1 位，采用 Die 封装。W25N01GVTBIG
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。W29N08GVBIAF
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 1024 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。TC58BYG2S0HBAI6
Toshiba Memory · 封装：VFBGA-67
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 512 M x 8，采用 VFBGA-67 封装。W29N04GVBIAF
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。MT29F2G01ABAGD12-IT:G
Micron · 封装：TBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 G x 1，采用 TBGA-24 封装。S34MS08G201BHI003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A TR
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 128 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。W29N08GVSIAA TR
Winbond · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 1 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-48 封装。MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。S34ML16G202TFI203
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash。S34ML08G201BHV003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:A
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。S34MS04G204TFB010
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。MT29F256G08CECEBJ4-37ITR:E
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 256 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储组织结构 32 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VBGA-132 封装。S34MS02G200TFV000
Cypress Semiconductor · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。