MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 VFBGA-63 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W25N02JWSFIC
Winbond
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.8 V、接口类型 Serial、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、商品名称 SpiStack。MT29F2G08ABAEAH4-IT:E
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34MS01G200TFB000
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。MT29F4G08ABADAH4-AITX:D
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。S34ML04G104BHV010
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 BGA-63 封装。MT29F16G16ADBCAH4:C
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。S34ML02G204TFI010
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash。S34ML04G204BHI010
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash。MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 512 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储组织结构 64 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VBGA-132 封装。MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F768G08EECBBJ4-37:B
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A TR
Micron · 封装：VBGA-100
主要参数包括存储容量 64 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND，采用 VBGA-100 封装。MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 TSOP-48 封装。MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 TSOP-48 封装。S34ML01G200TFV003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 VFBGA-63 封装。W25N01GVTCIG
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。S34MS04G200BHV000
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 BGA-63 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。