MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 VFBGA-63 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT29F4G08ABAFAH4-IT:F
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 VFBGA-63 封装。MT29F2G08ABAGAH4-IT:G
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 VFBGA-63 封装。MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 VFBGA-63 封装。MT29F2G01ABBGDWB-IT:G
Micron · 封装：U-PDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 83 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 G x 1，采用 U-PDFN-8 封装。MT29F2G01ABAGDSF-IT:G
Micron · 封装：SOP2-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 G x 1，采用 SOP2-16 封装。S34ML08G101TFI003
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。MT29F128G08CFABBWP-12IT:B
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C
Micron · 封装：VBGA-100
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VBGA-100 封装。MT29F4G16ABADAH4-AIT:D
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F2G08ABAGAWP-IT:G
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-48 封装。MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F16G08ABABAWP-IT:B
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F1G01ABAFD12-AAT:F
Micron · 封装：TBGA-24
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Serial、存储组织结构 1 G x 1、数据总线宽度 1 位，采用 TBGA-24 封装。S34ML02G200BHV000
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 BGA-63 封装。S34ML01G100TFV000
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。W25N01GWTBIG
Winbond · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8，采用 TFBGA-24 封装。S34ML08G201TFV003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。