W25N01GVZEIR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8，采用 WSON-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W29N01GWDIBA
Winbond · 封装：VFBGA-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 64 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-48 封装。W25N01GWZEIT
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8，采用 WSON-8 封装。W25N512GWPIT
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 64 M x 8，采用 WSON-8 封装。W25N512GVPIT
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 WSON-8 封装。S34ML04G200TFI900
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。W29N01HZSINF
Winbond · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-48 封装。00013-00107
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。W29N02KVBIAF
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Serial、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 - 40 C，采用 VFBGA-63 封装。MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F8G08ADBFAH4-AAT:F
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 VFBGA-63 封装。S34ML08G201TFI003
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。MT29F1G01ABBFDWB-IT:F
Micron · 封装：U-PDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 83 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 G x 1，采用 U-PDFN-8 封装。W29N04GVSIAF
Winbond · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-48 封装。MT29F64G08CBABBWP-12IT:B
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34ML04G100TFI003
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。S34ML08G101BHI003
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 BGA-63 封装。MT29F16G08CBACAWP:C
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34ML02G200BHI003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F16G08ABCBBH1-12AIT:B
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。