W631GU6MB09I
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录W631GU8MB15I
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W631GU8MB11I
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W631GG8MB11I
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W631GG8MB-09
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W631GU8MB-15
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W631GG8MB-11
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W948V6KBHX5I
Winbond · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。W948V6KBHX5E
Winbond · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。W9725G8KB25I
Winbond · 封装：WBGA-60
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 32 M x 8，采用 WBGA-60 封装。IS49NLS18320-33BL
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 BGA-144 封装。IS49NLC18320-25BL
ISSI · 封装：FCBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 FCBGA-144 封装。IS49NLC18320-33BL
ISSI · 封装：FCBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 FCBGA-144 封装。IS49NLC93200-33BLI
ISSI · 封装：FCBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 FCBGA-144 封装。IS49NLC18320-25BLI
ISSI · 封装：FCBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 FCBGA-144 封装。IS49NLC96400-33BLI
ISSI · 封装：FCBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 FCBGA-144 封装。IS46TR16128AL-125KBLA1
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L，采用 BGA-96 封装。IS49NLC96400-25BLI
ISSI · 封装：FCBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 FCBGA-144 封装。IS49NLS18320-25BLI
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 BGA-144 封装。IS49NLC18320-33BLI
ISSI · 封装：FCBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 FCBGA-144 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。