MT29F32G08CBADBWP-12IT:D
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F2G01ABAGDWB-IT:G
Micron · 封装：U-PDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 2 G x 1，采用 U-PDFN-8 封装。MT29F1G01ABAFDWB-IT:F
Micron · 封装：U-PDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 G x 1，采用 U-PDFN-8 封装。MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 VFBGA-63 封装。S34MS01G200BHI000
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 BGA-63 封装。IS34ML02G081-TLI
ISSI · 封装：TSOP-48
主要参数包括最大时钟频率 33 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-48 封装。W25N01JWSFIT
Winbond
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.8 V、接口类型 Serial、商品名称 SpiStack。IS34MW01G084-BLI
ISSI · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 64 M x 16，采用 VFBGA-63 封装。S34ML02G104TFI013
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。TH58NVG3S0HBAI6
Toshiba Memory · 封装：VFBGA-67
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 VFBGA-67 封装。TH58BVG3S0HTAI0
Toshiba Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。TC58NVG1S3HBAI4
Toshiba Memory · 封装：TFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 256 M x 8，采用 TFBGA-63 封装。W29N01HZDINA
Winbond · 封装：VFBGA-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-48 封装。W29N01HZBINA
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。TC58NVG2S0HBAI4
Toshiba Memory · 封装：TFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 512 M x 8，采用 TFBGA-63 封装。MT29F1G08ABAEAWP-IT:E
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 TSOP-48 封装。TH58BYG2S3HBAI4
Toshiba Memory · 封装：TFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 512 M x 8，采用 TFBGA-63 封装。MT29F32G08CBACAWP-Z:C
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F1G08ABAEAWP:E
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 TSOP-48 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。