MT29F16G08ABCBBH1-12AIT:B TR
Micron · 封装：VBGA-100
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND，采用 VBGA-100 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS34ML04G081-TLI
ISSI · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-48 封装。MT29F128G08CFABBWP-12IT:B TR
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 128 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 VFBGA-63 封装。MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D TR
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 VFBGA-63 封装。W29N02GZBIBA
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。MT29F1G08ABAEAWP:E TR
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。S34ML04G200TFI003
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。IS34ML04G084-TLI
ISSI · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-48 封装。W29N01HVSINF
Winbond · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-48 封装。TH58BVG2S3HTAI0
Toshiba Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-48 封装。MT29F4G08ABADAH4-AITX:D TR
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 VFBGA-63 封装。MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。S34MS01G100BHI003
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 BGA-63 封装。S34MS02G204BHI010
Cypress Semiconductor · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 BGA-63 封装。S34SL02G200BHI000
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 BGA-63 封装。S34MS01G200TFI903
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。S34ML04G200BHV003
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F8G08ABBCAH4-IT:C
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1024 M x 8，采用 VFBGA-63 封装。MT29F8G08ABACAWP-IT:C
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1024 M x 8，采用 TSOP-48 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。