W29N02GWBIBA
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-63 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录TC58BYG1S3HBAI6
Toshiba Memory · 封装：VFBGA-67
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 256 M x 8，采用 VFBGA-67 封装。S34MS02G200GHI000
Cypress / Spansion
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。W29N04GVBIAA
Winbond · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。MT29F32G08CBADBWP-12IT:D TR
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 32 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E TR
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。S34ML01G100TFI003
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。IS37SML01G1-LLI
ISSI · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Serial, SPI、存储器类型 NAND，采用 WSON-8 封装。S34ML02G100TFI000
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。S34ML01G100TFI000
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。MT29F8G08ABACAWP-IT:C TR
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。W25N01GVZEIG TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8，采用 WSON-8 封装。W25N01GVZEIG
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 128 M x 8，采用 WSON-8 封装。S34ML04G100TFI000
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。S34ML08G201TFI000
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。S34ML04G100BHI000
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 BGA-63 封装。S34MS04G200BHI000
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 BGA-63 封装。IS34ML01G081-BLI
ISSI · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 128 M x 8，采用 VFBGA-63 封装。S34ML04G200BHI000
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 BGA-63 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。