MT29F1G01ABAFD12-AAT:F TR
Micron · 封装：TBGA-24
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储器类型 NAND、存储组织结构 1 G x 1，采用 TBGA-24 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 VFBGA-63 封装。MT29F2G08ABAGAH4-IT:G TR
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 VFBGA-63 封装。TH58NVG5S0FTAK0
Toshiba Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 32 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-48 封装。MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR
Micron · 封装：U-PDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 83 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储器类型 NAND，采用 U-PDFN-8 封装。MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F TR
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR
Micron · 封装：U-PDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 SPI、存储器类型 NAND，采用 U-PDFN-8 封装。MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR
Micron · 封装：U-PDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储器类型 NAND，采用 U-PDFN-8 封装。MT29F1G01ABAFDWB-IT:F TR
Micron · 封装：U-PDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储器类型 NAND，采用 U-PDFN-8 封装。S34ML16G202TFI200
SkyHigh Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。S34ML08G101BHB000
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 BGA-63 封装。S34ML16G202BHI000
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 BGA-63 封装。S34ML08G201BHI000
SkyHigh Memory · 封装：BGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 BGA-63 封装。TH58NVG5S0FTA20
Toshiba Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 32 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。S34ML02G104BHA013
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F2G01ABAGD12-IT:G TR
Micron · 封装：TBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储器类型 NAND，采用 TBGA-24 封装。MT29F2G01ABAGDSF-IT:G TR
Micron · 封装：SOP2-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储器类型 NAND，采用 SOP2-16 封装。MT29F1G01ABAFD12-IT:F TR
Micron · 封装：TBGA-24
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储器类型 NAND、存储组织结构 1 G x 1，采用 TBGA-24 封装。MT29F2G08ABBGAH4-IT:G TR
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 VFBGA-63 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。