EDB8164B4PT-1D-F-D
Micron · 封装：FBGA-216
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 64 位，采用 FBGA-216 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT53B256M32D1NP-062 AIT:C
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32，采用 WFBGA-200 封装。EDB4432BBBJ-1D-F-D
Micron · 封装：WFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 WFBGA-134 封装。EDB8132B4PB-8D-F-D
Micron · 封装：FBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-168 封装。MT53E256M32D2DS-053 AIT:B
Micron
主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32。EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D
Micron · 封装：WFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 WFBGA-134 封装。MT41J64M16TW-093:J
Micron · 封装：FBGA-96
采用 FBGA-96 封装。EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D
Micron · 封装：WFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 WFBGA-134 封装。MT53E256M32D2DS-053 AAT:B
Micron
主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32。IS43R86400E-5TLI
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 TSOP-66 封装。MT53E256M32D2DS-046 IT:B
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32。MT46H128M16LFDD-48 IT:C
Micron · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 208 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。IS43R86400E-6TLI
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 TSOP-66 封装。IS42S32800J-75ETL
ISSI · 封装：TSOP-86
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-86 封装。IS46R16160D-5TLA1
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TSOP-66 封装。IS43R86400F-6TLI
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 TSOP-66 封装。IS45S16160G-6CTLA1
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。IS45S16160J-6CTLA1
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是，采用 TSOP-54 封装。IS43R83200D-6TLI
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TSOP-66 封装。IS45S16800F-7CTLA1
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。