MX63U1GC12HAXMI01-TR
Macronix · 封装：BGA-162
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 512 Mbit, 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, LPDDR2，采用 BGA-162 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录MT29F8G08ADAFAH4-AAT:F TR
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 VFBGA-63 封装。MT29F4G08ABBFAH4-AAT:F TR
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 VFBGA-63 封装。TH58NVG2S3HBAI4
Toshiba Memory · 封装：TFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 512 M x 8，采用 TFBGA-63 封装。TH58NYG3S0HBAI4
Toshiba Memory · 封装：TFBGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TFBGA-63 封装。MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 TSOP-48 封装。MT29F2G08ABBGAH4-IT:G
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 VFBGA-63 封装。MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 VFBGA-63 封装。MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-48 封装。MT29F4G08ABBFAH4-IT:F
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。MT29F4G01ABAFDWB-IT:F
Micron
主要参数包括存储容量 4 Gbit、存储组织结构 4 G x 1、数据总线宽度 1 位、湿敏性 是。MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F4G08ABAFAWP-IT:F
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-48 封装。MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash、湿敏性 是。MT29F8G01ADBFD12-AAT:F TR
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 8 G x 1、数据总线宽度 1 位，采用 Die 封装。MT29F8G01ADAFD12-AAT:F
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 8 G x 1、数据总线宽度 1 位，采用 Die 封装。MT29F8G08ADBFAH4-AAT:F TR
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8，采用 VFBGA-63 封装。MT29F8G01ADAFD12-IT:F TR
Micron
主要参数包括存储容量 8 GB、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 G x 1、数据总线宽度 1 位。MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F TR
Micron · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 1 G x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-48 封装。MT29F8G01ADBFD12-IT:F TR
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 8 G x 1、数据总线宽度 1 位，采用 Die 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。