IS45S16320B-7BLA1
ISSI · 封装：WBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 WBGA-54 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS43TR16128AL-15HBL
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 666 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L，采用 BGA-96 封装。IS49NLC36800-25BLI
ISSI · 封装：FCBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 FCBGA-144 封装。IS45S32800D-6BLA1
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-90 封装。EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D
Micron · 封装：WFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 WFBGA-134 封装。EDB8164B4PT-1DAT-F-D
Micron · 封装：FBGA-216
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 64 位，采用 FBGA-216 封装。IS49NLC18320-25EBLI
ISSI · 封装：FCBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、工作电源电压 2.5 V、类型 RLDRAM2，采用 FCBGA-144 封装。IS49NLC36800-33BL
ISSI · 封装：FCBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 FCBGA-144 封装。IS49NLC36800-33BLI
ISSI · 封装：FCBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 FCBGA-144 封装。IS49NLC93200-33BL
ISSI · 封装：FCBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 FCBGA-144 封装。IS49NLC18320-25EBL
ISSI · 封装：FCBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、工作电源电压 2.5 V、类型 RLDRAM2，采用 FCBGA-144 封装。IS49NLS18160-25BL
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 BGA-144 封装。IS43TR85120A-15HBL
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-78 封装。MT48LC16M16A2P-7E AIT:G TR
Micron · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。IS49NLC36160-25BL
ISSI · 封装：FCBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 FCBGA-144 封装。IS49NLS18160-33BL
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 BGA-144 封装。IS49NLC96400-33BL
ISSI · 封装：FCBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 2.38 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 FCBGA-144 封装。IS43DR16640B-3DBI
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。IS49NLC36800-25EBL
ISSI · 封装：FCBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 2.5 V、类型 RLDRAM2，采用 FCBGA-144 封装。IS49NLC93200-25BL
ISSI · 封装：FCBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 FCBGA-144 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。