MT40A2G4WE-083E:B
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1200 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 4 位，采用 FBGA-78 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT40A1G4RH-083E:B
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1200 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 4 位，采用 FBGA-78 封装。MT40A256M16GE-083E AIT:B
Micron · 封装：FBGA-96
采用 FBGA-96 封装。MT46V32M16CY-5B AIT:J
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-60 封装。MT48LC4M16A2P-7E AIT:J
Micron · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。MT46H64M16LFBF-5 AAT:B
Micron · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。MT46V32M16CY-5B AAT:J
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-60 封装。MT48LC4M32B2B5-6A AIT:L
Micron · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。MT40A1G8WE-083E AUT:B
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 1 G x 8，采用 FBGA-78 封装。MT40A256M16GE-075E AIT:B
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1333 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT40A512M16JY-083E:B TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1200 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT40A1G8WE-075E:B
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1333 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。MT40A256M16GE-083E AAT:B
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1200 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT40A512M16JY-075E:B
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1333 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT40A512M16JY-062E IT:B
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT40A2G8NRE-083E:B
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括商品名称 TwinDie，采用 FBGA-78 封装。MT40A1G16WBU-083E:B
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 1 G x 16，采用 FBGA-96 封装。MT40A1G8WE-083E:B
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1200 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。MT53B768M32D4NQ-062 WT:B
Micron
DRAM LPDDR4 24G 768MX32 FBGA QDPMT53B512M32D2NP-062 WT:C
Micron
DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDP型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。