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46,309 条型号记录
每页 20 条

MT29VZZZAD8DQKSL-046 W.9K8 TR

Micron

Multichip Packages eMCP 544Gb (2xNAND B16A TLC 256Gb+4xDRAM LPDDR4 8Gb)

MT29TZZZ7D6JKKFB-107 W.96V TR

Micron · 封装:BGA-221

主要参数包括存储容量 16 GB, 24 Gbit、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、产品 e.MMC-Based MCP,采用 BGA-221 封装。

MT29TZZZ8D5JKEPD-125 W.95T TR

Micron

主要参数包括存储容量 8 GB, 8 Gbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 1.7 V、接口类型 Parallel、类型 eMMC, Mobile LPDDR3、存储器类型 e.MMC, SDRAM Mobile - LPDDR3。

MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J TR

Micron · 封装:WFBGA-149

主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 4 Gbit, 4 Gbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR4,采用 WFBGA-149 封装。

W71NW20GD1DW

Winbond

主要参数包括最大时钟频率 40 MHz, 200 MHz、存储容量 2 Gbit, 1 Gbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 NAND Flash, LPDDR1、最小工作温度 - 40 C。

W71NW20GD3GW

Winbond

主要参数包括最大时钟频率 40 MHz, 200 MHz、存储容量 2 Gbit, 1 Gbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 NAND Flash, LPDDR1、最小工作温度 - 40 C。

W71NW21GD1DW

Winbond

主要参数包括最大时钟频率 40 MHz, 200 MHz、存储容量 2 Gbit, 1 Gbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 NAND Flash, LPDDR1、最小工作温度 - 40 C。

W25M121AWEIT TR

Winbond

主要参数包括存储容量 128 Mbit, 1 Gbit、电源电压(最大值) 1.8 V、接口类型 Serial、商品名称 SpiStack。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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