MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8 TR
Micron · 封装：VFBGA-254
主要参数包括存储容量 64 GB, 32 Gbit、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、产品 e.MMC-Based MCP，采用 VFBGA-254 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT38Q50DEB10DBDXAU.Y74-ES TR
Micron
Multichip PackagesMT29GZ5A5BPGGA-53ITES.87J TR
Micron · 封装：WFBGA-149
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 4 Gbit, 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR4，采用 WFBGA-149 封装。MT38Q40DEB10DBDXAU.Y64-ES TR
Micron
Multichip PackagesMT29GZ5A3BPGGA-53ITES.87K TR
Micron
Multichip PackagesMT38Q50DEB10DBDXAU.Y74-ES
Micron
Multichip Packages SERIAL/MOBILE DDR 4.5GMT29GZ5A3BPGGA-53ITES.87K
Micron
Multichip PackagesMT29AZ5A5CMGWD-18ITES.87C TR
Micron
主要参数包括存储容量 8 Gbit。MT29AZ5A5CMGWD-18ITES.87C
Micron
主要参数包括存储容量 8 Gbit。MT29GZ5A5BPGGA-53ITES.87J
Micron
Multichip PackagesMT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8
Micron
Multichip PackagesMT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D TR
Micron · 封装：BGA-254
主要参数包括存储容量 64 GB, 48 Gbit、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、产品 e.MMC-Based MCP，采用 BGA-254 封装。IS71LD32160WP128-3BPLI
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit, 512 Mbit、类型 Serial NOR Flash, Mobile LPDDR2、湿敏性 是。IS71LD16320WP128-3BPLI_
ISSI · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit, 512 Mbit、类型 Serial NOR Flash, LPDDR2、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是，采用 BGA-168 封装。MT29VZZZBC9FQOPR-053 W.G9G TR
Micron
主要参数包括最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、产品 e.MMC-Based MCP。MT29VZZZBD9FQOPR-046 W.G9H TR
Micron
Multichip PackagesMT29VZZZAD8HQKWL-053 W.G8C
Micron
Multichip Packages 544GMT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D
Micron
Multichip Packages ALL IN ONE MCP 560GMT29VZZZAD9DQKSM-046 W.9K9 TR
Micron
Multichip PackagesMT29VZZZ7C7DQFSL-046 W.9J7
Micron
Multichip Packages 280G型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。