48LM01-I/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 EERAM，采用 SOIJ-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS71LD16320WP128-25BPLI_
ISSI · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit, 512 Mbit、类型 Serial NOR Flash, LPDDR2、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是，采用 BGA-168 封装。S71KS512SC0BHV000
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.8 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NOR、最小工作温度 - 40 C，采用 FBGA-24 封装。IS71LD32160WP128-25BPLI
ISSI · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit, 512 Mbit、类型 Serial NOR Flash, Mobile LPDDR2、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是，采用 BGA-168 封装。S71KL512SC0BHB000
Cypress Semiconductor
主要参数包括存储器类型 NOR、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、湿敏性 是、认证等级 AEC-Q100、商品名称 HyperFlash, HyperRAM。MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F
Micron
主要参数包括湿敏性 是。W25M161AVEIT
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 16 Mbit, 1 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 WSON-8 封装。MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT TR
Micron · 封装：VFBGA-137
主要参数包括最大时钟频率 208 MHz、存储容量 4 Gbit, 2 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR1，采用 VFBGA-137 封装。W25M512JVFIQ
Winbond · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash，采用 SOIC-16 封装。MT29RZ4C4DZZMGMF-18 W.80U TR
Micron · 封装：FBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 4 Gbit, 4 Gbit、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR2、存储器类型 Flash, LPDDR2、定时类型 Asynchronous，采用 FBGA-168 封装。MT29TZZZ5D6DKFRL-093 W.9A6 TR
Micron
Multichip Packages MLC EMMC/LPDDR3 144GMT38Q40DEB10DBDXAU.Y64-ES
Micron
Multichip Packages SERIAL/MOBILE DDR 4.25GMT29VZZZBD8HQOWL-053 W ES.G8D TR
Micron · 封装：BGA-254
主要参数包括存储容量 64 GB, 48 Gbit、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、产品 e.MMC-Based MCP，采用 BGA-254 封装。MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G
Micron
Multichip PackagesMT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8
Micron
Multichip PackagesMT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G TR
Micron
主要参数包括最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、产品 e.MMC-Based MCP。MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8 TR
Micron · 封装：TFBGA-254
主要参数包括存储容量 64 GB, 48 Gbit、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、产品 e.MMC-Based MCP，采用 TFBGA-254 封装。MT29VZZZBD8HQOWL-053 W ES.G8D
Micron
Multichip PackagesMT29VZZZAD8HQKPR-053 W ES.G8C
Micron
Multichip PackagesMT29VZZZAD8HQKPR-053 W ES.G8C TR
Micron · 封装：BGA-254
主要参数包括存储容量 64 GB, 32 Gbit、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C、产品 e.MMC-Based MCP，采用 BGA-254 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。