W25M512JWFIM
Winbond · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash，采用 SOIC-16 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W25M512JWFIQ
Winbond · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash，采用 SOIC-16 封装。MT29C4G48MAYBBAKS-48 IT TR
Micron · 封装：VFBGA-137
主要参数包括最大时钟频率 208 MHz、存储容量 4 Gbit, 2 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 1.7 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR1，采用 VFBGA-137 封装。W25M121AVEIT
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit, 1 Gbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 NAND Flash, NOR Flash，采用 WSON-8 封装。MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F TR
Micron · 封装：VFBGA-162
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 2 Gbit, 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、接口类型 Parallel、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR2，采用 VFBGA-162 封装。S71KS512SC0BHB000
Cypress Semiconductor · 封装：FBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.8 V、接口类型 Parallel、存储器类型 NOR、最小工作温度 - 40 C，采用 FBGA-24 封装。MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT
Micron · 封装：VFBGA-130
主要参数包括存储容量 2 Gbit, 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR1、定时类型 Asynchronous、最小工作温度 - 40 C，采用 VFBGA-130 封装。W25M512JVEIQ TR
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash，采用 WSON-8 封装。W25M161AWEIT
Winbond · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 16 Mbit, 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, NOR Flash、最小工作温度 - 40 C，采用 WSON-8 封装。MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C
Micron
Multichip Packages MASSFLASH/LPDDR2 8GMT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J
Micron
Multichip Packages MASSFLASH/LPDDR4 8GMT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F
Micron · 封装：VFBGA-162
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 4 Gbit, 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR2、定时类型 Asynchronous，采用 VFBGA-162 封装。MT29C1G12MAAJVAMD-5 IT
Micron · 封装：VFBGA-130
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit, 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR1、最小工作温度 - 40 C，采用 VFBGA-130 封装。MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H
Micron · 封装：VFBGA-168
主要参数包括湿敏性 是，采用 VFBGA-168 封装。MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J
Micron
Multichip Packages MASSFLASH/LPDDR4 8GMT29TZZZ8D5JKERL-107 W.95E
Micron
Multichip Packages ALL IN ONE MCP 72GMT29C4G48MAZBBAKS-48 IT
Micron · 封装：VFBGA-137
主要参数包括最大时钟频率 208 MHz、存储容量 4 Gbit, 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR1、最小工作温度 - 40 C，采用 VFBGA-137 封装。MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT
Micron · 封装：VFBGA-130
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 2 Gbit, 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR1、定时类型 Asynchronous，采用 VFBGA-130 封装。MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F
Micron · 封装：VFBGA-162
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 4 Gbit, 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR2、定时类型 Asynchronous，采用 VFBGA-162 封装。MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT
Micron · 封装：WFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 208 MHz、存储容量 4 Gbit, 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 NAND Flash, Mobile LPDDR1、最小工作温度 - 40 C，采用 WFBGA-168 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。